據(jù)報(bào)道稱:上海微電子將在2021年交付采用ARF光源制程工藝為28納米的光刻機(jī)，并且次光刻機(jī)在經(jīng)過多次曝光之后，可以制造出11納米制程的芯片。目前來看，這個(gè)消息應(yīng)該是真的。也就是說，國內(nèi)在2021年，就有自己制造的生產(chǎn)28納米制程芯片的光刻機(jī)了。雖說，還不能與阿斯麥公司的極紫外EUV光刻機(jī)相比，但是足以推進(jìn)我國工業(yè)芯片和軍用芯片的性能向前邁一大步了。

按光源來分的話，光刻機(jī)已經(jīng)發(fā)展了五代。第一代是采用波長為4*6納米的g-line光源的光刻機(jī)，其制程工藝節(jié)點(diǎn)為800納米-2*0納米；第二代采用波長為*6*納米的i-line光源的光刻機(jī)，其制程工藝節(jié)點(diǎn)也是800納米-2*0納米；第三代采用波長為248納米的KRF光源的光刻機(jī)，其制程工藝節(jié)點(diǎn)為180納米-1*0納米；第四代也就是波長為1**納米的Arf光源的光刻機(jī)，其制程工藝節(jié)點(diǎn)為1*0納米-6*納米，4*納米-22納米；第五代也就是波長為1*.*納米的EUV光源的極紫外光刻機(jī)，其制程節(jié)點(diǎn)為22納米-*納米。

而上海微電子將在2021年交付的也就是第四代光刻機(jī)，制程工藝節(jié)點(diǎn)為28納米。其實(shí)上海微電子與200*年制造了制程工藝節(jié)點(diǎn)為*0納米的光刻機(jī)，迄今過去了1*年。經(jīng)過14年的發(fā)展，再次拿出第四代光刻機(jī)也是很正常的。雖說，我國現(xiàn)在無法制造出二氧化碳EUV光源，但是在固體深紫外光源的研發(fā)上是處于國際領(lǐng)先地位的，最明顯的例子就是KBBF晶體。

另外光刻機(jī)比較重要的鏡頭，國內(nèi)也是可以自制的。長春光機(jī)所于2016年研發(fā)出了波像差優(yōu)于0.** nm RMS 的兩鏡EUV 光刻物鏡系統(tǒng)。清華大學(xué)也在2014年研發(fā)出掩模臺(tái)/硅片臺(tái)同步掃描指標(biāo)實(shí)測達(dá)到2.2nm，4.*nm。所以說，光刻機(jī)最重要掩膜臺(tái)和工作臺(tái)，鏡頭組，光源都可以由國內(nèi)單位自己制造出來，那么上海微電子研制出制程工藝為28納米的光刻機(jī)也沒有什么可懷疑的。只是在明年交付之后，芯片的良品率并不會(huì)一下子就上去，還要過段時(shí)間才可以提升上去。

另外，上海微電子即將交付的光刻機(jī)，在經(jīng)過多次曝光之后，制程工藝還可以提高到11納米。這樣一來，對(duì)那些芯片并不急需，但要求制程工藝的公司來說，也是一個(gè)好消息。畢竟國內(nèi)有了這種光刻機(jī)，就不必在受到國外的制裁了。對(duì)于EUV光源，我國還需要加大研發(fā)力度，爭取早日取得突破。只要光源突破之后，那剩下的就沒有什么太大的難題了

由此可知，上海微電子交付28納米制程工藝的光刻機(jī)有較大意義。